NXPs neue 65 V LDMOS-Technologie: für einfache Bedienung.

Die fünf Vorteile von NXP 65 V LDMOS

Bild von NXP Semiconductors

1. Mehr Leistung –

Höhere Spannung ermöglicht höhere Leistungsdichte, was dazu beiträgt, die Anzahl der zu kombinierenden Transistoren zu reduzieren.
Weniger combining Verluste, kleinere PAs, einfachere Stromversorgungs Management.

2. Schnellere Entwicklungszeit –

Bei höherer Spannung kann die Ausgangsleistung erhöht werden, während eine angemessene Ausgangsimpedanz beibehalten wird.
Einfacheres Matching auf 50 Ohm; Transistoren können Breitband verwendet werden.

3. Design-Wiederverwendung –

Dieser Impedanz-Nutzen sorgt auch für die Pin-Kompatibilität mit aktuellen 50 V LDMOS-Transistoren für eine bessere Skalierbarkeit.
Wenig bis kein Wiederholen von vorhandenen 50 V Endstufen.

4. Managefähigere Strompegel –

Höhere Spannung reduziert die Stromverluste im System.
Weniger belastet auf DC-Versorgung, bessere Systemeffizienz, weniger magnetische Strahlung.

5. Breiter Sicherheitsabstand –

Die höhere Durchbruchsspannung von 182 V verbessert die Robustheit und ermöglicht höhere Wirkungsgrade.

Dieses Video beschreibt die 5 Vorteile der neuen 65 V LDMOS-Technologie von NXP, die für eine einfache Bedienung ausgelegt ist.

Quelle:
RF Device Data
NXP Semiconductors

* 65 V Introduction »

* 65 V Data Sheets  »

 

73, DL5AI Arno

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