NXPs neue 65 V LDMOS-Technologie: für einfache Bedienung.
Die fünf Vorteile von NXP 65 V LDMOS
1. Mehr Leistung –
Höhere Spannung ermöglicht höhere Leistungsdichte, was dazu beiträgt, die Anzahl der zu kombinierenden Transistoren zu reduzieren.
Weniger combining Verluste, kleinere PAs, einfachere Stromversorgungs Management.
2. Schnellere Entwicklungszeit –
Bei höherer Spannung kann die Ausgangsleistung erhöht werden, während eine angemessene Ausgangsimpedanz beibehalten wird.
Einfacheres Matching auf 50 Ohm; Transistoren können Breitband verwendet werden.
3. Design-Wiederverwendung –
Dieser Impedanz-Nutzen sorgt auch für die Pin-Kompatibilität mit aktuellen 50 V LDMOS-Transistoren für eine bessere Skalierbarkeit.
Wenig bis kein Wiederholen von vorhandenen 50 V Endstufen.
4. Managefähigere Strompegel –
Höhere Spannung reduziert die Stromverluste im System.
Weniger belastet auf DC-Versorgung, bessere Systemeffizienz, weniger magnetische Strahlung.
5. Breiter Sicherheitsabstand –
Die höhere Durchbruchsspannung von 182 V verbessert die Robustheit und ermöglicht höhere Wirkungsgrade.
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Dieses Video beschreibt die 5 Vorteile der neuen 65 V LDMOS-Technologie von NXP, die für eine einfache Bedienung ausgelegt ist.
* 65 V Introduction »
73, DL5AI Arno
Hier das RF Power Products Selector Guide von NXP.
73 Jörg