GaN-Leistungshalbleiter stehen kurz vor dem Eintritt in den Massenmarkt, 1600-W-Transistoren für das L-Band

Vielleicht in Zukunft auch eine Alternative für die Kurzwelle.
 

Bildergebnis für CoolSiC-Trench-MOSFET-Zelle

GaN-Leistungshalbleiter stehen kurz vor dem Eintritt in den Massenmarkt. Speziell für anspruchsvolle Anwendungen wie Luftfahrt und Radar sind Single-Ended-Transistoren auf GaN-Basis vielversprechend. Mit ihnen lassen sich deutlich platzsparendere und leistungsfähigere Systeme entwickeln.

Ein Markt für GaN

Mit Single-Ended-GaN-Transistoren hat sich GaN nun zu einer aussichtsreichen Alternative zur LDMOS-Technik entwickelt. Insbesondere für Luftfahrt-Anwendungen ist die GaN-Technik attraktiv, denn mit ihr sind weitere Verringerungen der Abmessungen und des Gewichts möglich.

Durch hohe Leistungspegel und eine Drain-Effizienz von über 70 % ermöglichen diese Bausteine sowohl ein hohes Maß an Systemintegration als auch eine hohe Leistungsfähigkeit. Ein weiterer Pluspunkt: Das Design der Systemlösung bleibt einfach.

 
Weiterführende Links zum Thema:
Aufholjagd der GaN-Leistungshalbleiter bei all-electronics.de
microsemi.com
RF/Microwave GaN on SiC Power Devices, Pallets and Modules 1011GN-1600VG

Beitragsbild : ULVAC

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