Das erste 100-V-HF-GaN von Integra, der IGN1011S3600 mit 3,6 Kilowatt (kW)

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Der IGN1011S3600 ist das erste 100-V-HF-GaN-on-SiC-Produkt von Integra und bietet eine bahnbrechende Leistung von 3,6 Kilowatt und eine Drain-Effizienz von 70 %. Der IGN1011S3600 wurde speziell für IFF/SSR-Avioniksysteme entwickelt und ist eine überzeugende Lösung, die die Anforderungen an Größe, Gewicht, Leistung und Kosten (SWAP-C) im Vergleich zu bestehenden Marktlösungen erfüllt.

Integra, ein führender Anbieter innovativer HF- und Mikrowellen-Leistungslösungen, stellte heute die branchenweit erste 100-V-HF-GaN/SiC-Technologie vor, die auf ein breites Spektrum von Anwendungen wie Radar, Avionik, elektronische Kriegsführung, industrielle, wissenschaftliche und medizinische Systeme abzielt. Diese Technologie arbeitet bei 100 V und durchbricht die Grenzen der RF-Leistungsfähigkeit, indem sie eine Ausgangsleistung von 3,6 Kilowatt (kW) in einem einzigen GaN-Transistor erreicht. Die 100-V-GaN-Technologie von Integra gibt Entwicklern die Möglichkeit, die Systemleistung und -funktionalität drastisch zu erhöhen und gleichzeitig die Systemarchitekturen mit weniger Schaltkreisen zur Leistungskombination zu vereinfachen, als dies bei der üblicherweise verwendeten 50-V/65-V-GaN-Technologie der Fall ist. Die Kunden profitieren letztendlich von einer kleineren Systemfläche und niedrigeren Systemkosten.

Suja Ramnath, Präsident und CEO von Integra, sagte: “Die 100-V-RF-GaN-Technologie von Integra stellt einen wichtigen Meilenstein auf dem Hochleistungsmarkt dar. Diese innovative Technologie beseitigt die Barrieren, die heute die Systemleistung begrenzen, und ermöglicht neue Architekturen, die bisher nicht möglich waren. Wir freuen uns, dass diese bahnbrechende Technologie unsere Kunden in die Lage versetzen wird, eine neue Generation von Hochleistungs-HF-Leistungslösungen mit mehreren Kilowatt zu liefern und gleichzeitig ihre Entwicklungszeiten und Produktkosten zu reduzieren.”

Dr. Mahesh Kumar, ein Architekt für Radarsysteme in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich, sagte: “Integra’s erste marktreife 100V RF GaN-Technologie wird die Möglichkeiten für RF-Hochleistungssysteme völlig neu definieren. Da sie im Vergleich zu einem 50-V-GaN-Transistor in einem einzigen Gehäuse etwa die doppelte Leistung liefert, wird eine beträchtliche Anzahl von Kombinierern und zugehörigen elektronischen Schaltungen überflüssig, was zu einem geringeren Volumen, Gewicht und Kosten des Systems und einer höheren Systemeffizienz führt.

Das erste 100-V-HF-GaN-Produkt von Integra ist der IGN1011S3600, der speziell für Avionik-Anwendungen entwickelt wurde. Der IGN1011S3600 liefert eine branchenführende Ausgangsleistung von 3,6 kW bei 19 dB Verstärkung und 70 % Effizienz. Der IGN1011S3600, der auf Integra’s 100V RF GaN basiert, ist eine überzeugende Lösung für Programme, die Verbesserungen bei Größe, Gewicht, Leistung und Kosten (SWAP-C) erfordern. Der IGN1011S3600 100V RF GaN/SiC ist für qualifizierte Kunden als Muster erhältlich.

Überlegene Leistung von Integra’s 100V RF GaN-Transistoren

Hohe Leistungsdichte

Die HV-GaN-Transistoren von Integra nutzen unsere firmeneigene Epitaxiestruktur und erreichen Leistungsdichten von über
20 Watt/mm erreichen. Die hohe Leistungsdichte ermöglicht es den Kunden, die Anzahl der Transistoren und die mit ihnen verbundene Leistung sowie die Systemgröße und -kosten zu reduzieren.

Hohe Drain-Effizienz

Als Branchenneuheit hat Integra einen einzelnen HF-Transistor entwickelt, der 3,6 kW (>20 W/mm gepulst) mit einem Drain-Wirkungsgrad von >70% bei 100 V erreicht. Die Impedanzanpassung für einen hohen Wirkungsgrad wird durch eine Kombination aus abgestimmten und verteilten Anpassungselementen erreicht.

Thermisch verbessert

Zusätzlich zu unserer neuartigen und einzigartigen Epitaxiestruktur setzen wir patentierte Schaltungs- und Wärmemanagementtechniken ein, um den effektiven Wärmewiderstand unserer Transistorprodukte um bis zu 10 % zu reduzieren.

Frequency Matters Interview: Integra/Teledyne erörtern bahnbrechende 100-V-GaN-Transistoren

Die Microwave Journal-Redakteure Pat Hindle und Gary Lerude sprechen mit Tom Kole, VP of Sales & Marketing von Integra Technologies, und Mont Taylor, VP of Business Development von Teledyne e2v, über die 100-V-GaN-Transistortechnologie und ihre Anwendungen.

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Product Details

  • Part Number
    IGN1011S3600
     
  • Manufacturer
    Integra Technologies, Inc.
     
  • Description
    3600 W GaN on SiC Power Transistor from 1030 to 1090 MHz
     

General Parameters

  • Transistor Type
    HEMT
     
  • Technology
    GaN on SiC, GaN
     
  • Application Industry
    Avionics
     
  • Application Type
    L-band Avionics IFF & SSR Systems, uplink and downlink (Transponder)
     
  • CW/Pulse
    Pulse
     
  • Frequency
    1030 and 1090 MHz
     
  • Power
    65.56 dBm
     
  • Power(W)
    3600 W
     
  • Pulsed Width
    32 uS
     
  • Duty_Cycle
    4 %
     
  • Gain
    18 to 22 dB
     
  • Input Return Loss
    10 to 18 dB
     
  • VSWR
    2.0:1, 5.0:1
     
  • Supply Voltage
    100 V
     
  • Input Power
    90 W
     
  • Voltage – Drain-Source (Vdss)
    400 V
     
  • Voltage – Gate-Source (Vgs)
    -8 to 1 V
     
  • Current
    75 mA
     
  • Drain Efficiency
    65 to 85 %
     
  • Drain Current
    144 A
     
  • Junction Temperature (Tj)
    -55 to 225 Degree C
     
  • Package Type
    Epoxy-sealed ceramic lid
     
  • RoHS
    Yes
     
  • Grade
    Commercial, Space Qualified, Military
     
  • Storage Temperature
    -55 to 150 Degree C

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